Технология нанесения оптических вакуумных лакировочных машин

Оптические вакуумные машины для нанесения покрытий широко используются в промышленности, например, в камерах мобильных телефонов, чехлах для мобильных телефонов, экранах мобильных телефонов, цветных фильтрах, очковых линзах и т. д. Стандарт точности очень высок, и можно наносить различные покрытия, такие как AR. антибликовая пленка, декоративно-прикладное искусство Пластиковые пленки, автомобильные керамические пленки, улучшенные отражающие пленки, проводящие пленки ITO и пленки против обрастания имеют высокий процент продаж на рынке.

Какая технология обработки используется в оптической вакуумной лакировочной машине для покрытия такого количества слоев?

Когда оптическая вакуумная машина для нанесения покрытий испаряется и накапливается, исходное сырье в вакуумной системе нагревается или ионизирующие отрицательные электроны испаряются. Предполагается, что пар находится на оптической поверхности. В течение периода улетучивания, благодаря точному управлению нагревом, рабочим давлением вакуумного насоса и точным позиционированием и вращением подложки, можно получить однородное оптическое покрытие специальной толщины. Испарение имеет относительно щадящие характеристики, что делает покрытие все более рыхлым или пористым. Этот вид рыхлого покрытия обладает способностью поглощать воду, что изменяет разумный показатель преломления пленки, что приводит к ухудшению характеристик. Летучие покрытия могут быть улучшены с помощью технологии осаждения с помощью электронного луча, во время которой электронный луч направляется на поверхность пластины. Это улучшает адсорбцию относительно оптического поверхностного слоя исходного материала, что приводит к большому количеству внутренних напряжений, что способствует более высокой плотности и большей долговечности покрытия.

Высокоэнергетическое электростатическое поле может ускорять электронный пучок в электронно-лучевом магнетронном распылении (IBS) оптической вакуумной установки для нанесения покрытий. Эти мгновенные скорости индуцируют значительную механическую энергию положительных ионов. При столкновении с исходным материалом электронный луч «распыляет» молекулы целевого материала. Целевые положительные ионы магнетронного распыления (молекулы превращаются в положительные ионы в зоне гидролиза) также обладают механической энергией, что приводит к образованию плотной пленки при контакте с оптической поверхностью. IBS является точной и воспроизводимой техникой.

Оптическая вакуумная установка для нанесения покрытий Плазменное магнетронное напыление — это общий термин для ряда технологий, таких как высокотехнологичное плазменное магнетронное напыление и магнетронное напыление. Какая бы технология это ни была, она включает в себя создание плазмы. Положительные ионы в плазме ускоряются в исходном материале, сталкиваются с свободными энергичными положительными ионами, а затем магнетронно распыляются на весь оптический компонент мишени. Хотя различные типы плазменно-магнетронного напыления имеют свои уникальные характеристики, преимущества и недостатки, мы можем объединить эту технологию вместе, поскольку они имеют один и тот же принцип, разница между ними, сравните этот вид технологии покрытия и бумаги. Другие методы покрытия, описанные в гораздо меньше отличаются друг от друга.

В отличие от осаждения улетучиванием, исходный материал, используемый для осаждения молекулярного слоя (ALD), не улетучивается из жидкости, а сразу существует в виде пара. Хотя в процессе используется пар, в вакуумной системе по-прежнему необходимы высокие температуры окружающей среды. Во всем процессе ALD предшественник газовой хроматографии доставляется в соответствии с неперемежающимся одиночным импульсом, и одиночный импульс является самоограниченным. Этот тип обработки имеет уникальную схему химического дизайна, каждый отдельный импульс прилипает только к одному слою, и нет особых требований к геометрии оптического поверхностного слоя. Таким образом, этот тип обработки позволяет в относительно высокой степени контролировать толщину и дизайн покрытия, но снижает скорость накопления.